Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Renesas Electronics America Inc NP109N055PUJ-E1B-AY - Renesas Electronics America Inc FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Renesas Electronics America Inc NP109N055PUJ-E1B-AY

NP109N055PUJ-E1B-AY

  • Производитель: Ренесас Электроникс Америка Инк.
  • Номер производителя: Renesas Electronics America Inc NP109N055PUJ-E1B-AY
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3384
  • Артикул: NP109N055PUJ-E1B-AY
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Ренесас Электроникс Америка Инк.
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 55 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 110А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 3,2 мОм при 55 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 180 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 10350 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1,8 Вт (Та), 220 Вт (Тс)
Рабочая температура 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ТО-263
Пакет/ключи ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH Затронуто REACH
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1000
Н-канал 55 В 110 А (Та) 1,8 Вт (Та), 220 Вт (Тс) для поверхностного монтажа ТО-263