Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 onsemi SSVMUN5312DW1T2G — onsemi Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми SSVMUN5312DW1T2G

ССВМУН5312DW1T2G

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми SSVMUN5312DW1T2G
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 1477
  • Артикул: ССВМУН5312DW1T2G
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 60 при 5 мА, 10 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 250 мВ при 300 мкА, 10 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 500нА
Частота – переход -
Мощность - Макс. 187мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363
Поставщик пакета оборудования СК-88/СК70-6/СОТ-363
Базовый номер продукта ССВМУН5312
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Стандартный пакет 3000
Производитель онсеми
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Тип транзистора 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50В
Резистор — база (R1) 22 кОм
Резистор — база эмиттера (R2) 22 кОм
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 1 NPN, 1 PNP — с предварительным смещением (двойной) 50 В, 100 мА, 187 мВт, для внешнего монтажа SC-88/SC70-6/SOT-363