Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 STMicroelectronics STD12N60DM2AG - STMicroelectronics FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
Русский
search
product_banner
STMicroelectronics STD12N60DM2AG

СТМикроэлектроника СТД12Н60ДМ2АГ

СТД12Н60ДМ2АГ

  • Производитель: СТМикроэлектроника
  • Номер производителя: СТМикроэлектроника СТД12Н60ДМ2АГ
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 6393
  • Артикул: СТД12Н60ДМ2АГ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

добавить в корзину

Цена за единицу: $2.4400

Дополнительная цена:$2.4400

Подробности

Теги

Параметры
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 0 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 430 мОм при 5 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 5 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 14,5 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±25 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 614 пФ при 100 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 110 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования Д-ПАК (ТО-252)
Пакет/ключи ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Базовый номер продукта СТД12
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2500
Производитель СТМикроэлектроника
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Н-канальный 600 В 10 А (Tc) 110 Вт (Tc) Д-ПАК для поверхностного монтажа (ТО-252)

Больше продуктов

Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.