Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMP22D4UFO-7B - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорейтед DMP22D4UFO-7B

ДМП22Д4УФО-7Б

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед DMP22D4UFO-7B
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9
  • Артикул: ДМП22Д4УФО-7Б
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,4400

Дополнительная цена:$0,4400

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 530 мА (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 1,5 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 1,9 Ом при 100 мА, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 0,4 нк @ 4,5 В
ВГС (Макс) ±8 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 28,7 пФ при 15 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 820 мВт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования X2-DFN0604-3
Пакет/ключи 3-XFDFN
Базовый номер продукта ДМП22
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Стандартный пакет 10 000
П-канал 20 В, 530 мА (Ta) 820 мВт (Ta) для поверхностного монтажа X2-DFN0604-3