Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMP45H4D9HJ3 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорейтед DMP45H4D9HJ3

ДМП45Х4Д9ХДЖ3

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед DMP45H4D9HJ3
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4869
  • Артикул: ДМП45Х4Д9ХДЖ3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,7487

Дополнительная цена:$0,7487

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 450 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4,6 А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 4,9 Ом при 1,05 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 5 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 13,7 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 547 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 104 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-251
Пакет/ключи ТО-251-3, ИПак, краткие заключения
Базовый номер продукта ДМП45
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH Затронуто REACH
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 75
П-канал 450 В 4,6 А (Тс) 104 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-251