Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Vishay Siliconix SIHG70N60AEF-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SIHG70N60AEF-GE3

SIHG70N60AEF-GE3

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SIHG70N60AEF-GE3
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5269
  • Артикул: SIHG70N60AEF-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $11.1500

Дополнительная цена:$11.1500

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд ЭФ
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 60А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 41 мОм при 35 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 410 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5348 пФ при 100 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 417 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-247АС
Пакет/ключи ТО-247-3
Базовый номер продукта SIHG70
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 500
Н-канал 600 В 60 А (Tc) 417 Вт (Tc) Сквозное отверстие ТО-247AC