Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated 2DB1132Q-13 - Diodes Incorporated Bipolar (BJT) - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорпорейтед 2DB1132Q-13

2DB1132Q-13

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорпорейтед 2DB1132Q-13
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 7588
  • Артикул: 2DB1132Q-13
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Тип транзистора ПНП
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 1 А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 32 В
Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic 500 мВ при 50 мА, 500 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 500нА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 120 @ 100 мА, 3 В
Мощность - Макс. 1 Вт
Частота – переход 190 МГц
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи ТО-243АА
Поставщик пакета оборудования СОТ-89-3
Базовый номер продукта 2DB1132
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0075
Стандартный пакет 2500
Биполярный (BJT) транзистор PNP 32 В 1 А 190 МГц 1 Вт Для поверхностного монтажа SOT-89-3