онсеми NJVMJD112T4G
NJVMJD112T4G
- Производитель: онсеми
- Номер производителя: онсеми NJVMJD112T4G
- Упаковка: Лента и катушка (TR)
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 9960
- Артикул: NJVMJD112T4G
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | онсеми |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | NPN – Дарлингтон |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 2 А |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 100 В |
| Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic | 3 В при 40 мА, 4 А |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 20 мкА |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 1000 @ 2А, 3В |
| Мощность - Макс. | 20 Вт |
| Частота – переход | 25 МГц |
| Рабочая температура | -65°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 |
| Поставщик пакета оборудования | ДПАК |
| Базовый номер продукта | НЖВМЖД112 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 2500 |
Биполярный (BJT) транзистор NPN-Дарлингтон 100 В 2 А 25 МГц 20 Вт Для поверхностного монтажа DPAK
