Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Infineon Technologies BSZ240N12NS3GATMA1 — Infineon Technologies FET, MOSFET — спецификация, чип-дистрибьютор, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Infineon Technologies BSZ240N12NS3GATMA1

БСЗ240Н12НС3ГАТМА1

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Infineon Technologies BSZ240N12NS3GATMA1
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3951
  • Артикул: БСЗ240Н12НС3ГАТМА1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,6500

Дополнительная цена:$1,6500

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд Оптимос™
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 120 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 37А (Тц)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 24 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В при 35 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 27 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1900 пФ при 60 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 66 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ПГ-ТСДСОН-8
Пакет/ключи 8-PowerTDFN
Базовый номер продукта БСЗ240
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 5000
Н-канальный 120 В 37 А (Tc) 66 Вт (Tc) для поверхностного монтажа PG-TSDSON-8