Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6.8ACT,L3F

DF2B6.8ACT,L3F

Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6.8ACT,L3F
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 6963
Артикул: DF2B6.8ACT,L3F
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,0288

Дополнительная цена:$0,0288

Подробности

Параметры
Производитель	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Тип	Зенер
Двунаправленные каналы	1
Напряжение – обратное зазор (тип.)	5 В (макс.)
Напряжение - пробой (мин)	5,8 В
Напряжение — ограничение (макс.) при Ipp	7 В (тип.)
Ток — пиковый импульс (10/1000 мкс)	1 А (8/20 мкс)
Мощность — пиковый импульс	-
Защита линий электропередачи	Нет
Приложения	Общего назначения
Эмкость на частотах	9пФ при 1 МГц
Рабочая температура	-
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	СОД-882
Поставщик пакета оборудования	КСТ2
Базовый номер продукта	DF2B6.8
Статус RoHS	Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.10.0080
Стандартный пакет	10 000