ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP25672-200B1-TR

ИС61НВП25672-200Б1-ТР

Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
Номер производителя: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP25672-200B1-TR
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 3284
Артикул: ИС61НВП25672-200Б1-ТР
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Устаревший
Тип	Неустойчивый
Формат памяти	СРАМ
Технология	SRAM – синхронный, SDR
Размер	18Мбит
Организация	256К х 72
Интерфейс памяти	Параллельно
Тактовая частота	200 МГц
Время цикла записи — Word, Page	-
Время доступа	3,1 нс
Напряжение питания	2375 В ~ 2625 В
Рабочая температура	0°С ~ 70°С (ТА)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	209-БГА
Поставщик пакета оборудования	209-ЛФБГА (14х22)
Базовый номер продукта	ИС61НВП25672
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	3A991B2A
ХТСУС	8542.32.0041
Стандартный пакет	1000

SRAM — синхронная, микросхема памяти SDR, 18 Мбит, параллельная, 200 МГц, 3,1 нс, 209-LFBGA (14x22)