Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Vishay Siliconix SQJ504EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SQJ504EP-T1_GE3

SQJ504EP-T1_GE3

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SQJ504EP-T1_GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 7416
  • Артикул: SQJ504EP-T1_GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,6100

Дополнительная цена:$1,6100

Подробности

Теги

Параметры
Пакет/ключи PowerPAK® SO-8 двойной
Поставщик пакета оборудования PowerPAK® SO-8 двойной
Базовый номер продукта SQJ504
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация N и P-канал
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 40В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 30А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 7,5 мОм при 8 А, 10 В, 17 мОм при 8 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 30 нк при 10 В, 85 нк при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1900пФ при 25В, 4600пФ при 25В
Мощность - Макс. 34 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Массив МОП-транзисторов 40 В, 30 А (Tc), 34 Вт (Tc), для поверхностного монтажа PowerPAK® SO-8 Dual