Vishay Siliconix SIHB12N65E-GE3

SIHB12N65E-GE3

Проиджоделх: Виаликоеникс
NoMerPOIзVODITELEL: Vishay Siliconix SIHB12N65E-GE3
Епаково: Трубка
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 729
Sku: SIHB12N65E-GE3
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuю polityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $2.9300

Эkst цena:$2.9300

Подрэбной

Парметр
Млн	Виаликоеникс
В припании	-
Упако	Трубка
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	650
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	12a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	10 В
Rds on (max) @ id, vgs	380MOHM @ 6A, 10V
Vgs (th) (max) @ id	4 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	70 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 30 v
Взёр.	1224 PF @ 100 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	156 Вт (ТС)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	D²PAK (DO 263)
PakeT / KORPUES	TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB
Baзowый nomer prodikta	SIHB12
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодар	50

N-kanal 650-12а (Tc) 156w (tc) poverхnosstnoe krepleneene d²pak (до-263)