Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Vishay Siliconix SIR180DP-T1-RE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SIR180DP-T1-RE3

СИР180ДП-Т1-РЕ3

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SIR180DP-T1-RE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4
  • Артикул: СИР180ДП-Т1-РЕ3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,8000

Дополнительная цена:$1,8000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд TrenchFET® Gen IV
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 32,4 А (Та), 60 А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 7,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 2,05 мОм при 10 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3,6 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 87 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4030 пФ при 30 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 5,4 Вт (Та), 83,3 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ПауэрПАК® СО-8
Пакет/ключи ПауэрПАК® СО-8
Базовый номер продукта СИР180
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
Н-канальный 60 В 32,4 А (Ta), 60 А (Tc) 5,4 Вт (Ta), 83,3 Вт (Tc) PowerPAK® SO-8 для поверхностного монтажа