Парметр |
Млн | Toshiba semiconductor и хraneneee |
В припании | U-Mosix |
Упако | Трубка |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 600 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 6a (TA) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 10 В |
Rds on (max) @ id, vgs | 1,2 ОМ @ 3a, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 4 В @ 630 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 21 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 30 v |
Взёр. | 740 pf @ 300 |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 35 Вт (TC) |
Rraboч -yemperatura | 150 ° С |
МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | DO-220SIS |
PakeT / KORPUES | 220-3- |
Baзowый nomer prodikta | TK1K2A60 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | Neprigodnnый |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодадж | 50 |
N-kanal 600-6 (TA) 35-й (TC).