Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Vishay Siliconix SIA537EDJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SIA537EDJ-T1-GE3

SIA537EDJ-T1-GE3

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SIA537EDJ-T1-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2029 год
  • Артикул: SIA537EDJ-T1-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,6600

Дополнительная цена:$0,6600

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд ТренчFET®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация N и P-канал
Особенность левого транзистора Ворота логического уровня
Напряжение стока к источнику (Vdss) 12 В, 20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4,5 А
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 28 мОм при 5,2 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 16 НК при 8 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 455пФ при 6В
Мощность - Макс. 7,8 Вт
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи PowerPAK® SC-70-6 Двойной
Поставщик пакета оборудования PowerPAK® SC-70-6 Двойной
Базовый номер продукта SIA537
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
Массив МОП-транзисторов 12 В, 20 В, 4,5 А, 7,8 Вт, для поверхностного монтажа PowerPAK® SC-70-6 Dual