Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Vishay Siliconix SI1050X-T1-E3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
Русский
search
product_banner
Vishay Siliconix SI1050X-T1-E3

Vishay Силиконикс SI1050X-T1-E3

SI1050X-T1-E3

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Силиконикс SI1050X-T1-E3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 6660
  • Артикул: SI1050X-T1-E3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Добавить в список запросов предложений

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд ТренчFET®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 8 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1,34 А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 1,5 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 86 мОм при 1,34 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 900 мВ при 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 11,6 НК при 5 В
ВГС (Макс) ±5 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 585 пФ при 4 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 236 мВт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования СК-89 (СОТ-563Ф)
Пакет/ключи СОТ-563, СОТ-666
Базовый номер продукта СИ1050
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Стандартный пакет 3000
Н-канал 8 В 1,34 А (Ta) 236 мВт (Ta) для поверхностного монтажа SC-89 (SOT-563F)

Больше продуктов

Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.