Vishay Siliconix SI3590DV-T1-E3
SI3590DV-T1-E3
- Проиджоделх: Виаликоеникс
- NoMerPOIзVODITELEL: Vishay Siliconix SI3590DV-T1-E3
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 279
- Sku: SI3590DV-T1-E3
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 6-й стоп |
| Baзowый nomer prodikta | SI3590 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.21.0095 |
| Станодар | 3000 |
| Млн | Виаликоеникс |
| В припании | Trenchfet® |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Актифен |
| Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
| Коунфигура | N и п-канал |
| FET FUONKSHINA | Logiчeskichй yrowenhe |
| Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 30 |
| TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 2.5a, 1.7a |
| Rds on (max) @ id, vgs | 77mohm @ 3a, 4,5 |
| Vgs (th) (max) @ id | 1,5 В @ 250 мк |
| ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 4,5NC @ 4,5 |
| Взёр. | - |
| Синла - МАКС | 830 м |
MOSFET Array 30 В 2,5A, 1,7A 830 м
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740