Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Vishay Siliconix SI3588DV-T1-E3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Силиконикс SI3588DV-T1-E3

SI3588DV-T1-E3

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Силиконикс SI3588DV-T1-E3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3905
  • Артикул: SI3588DV-T1-E3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд ТренчFET®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация N и P-канал
Особенность левого транзистора Ворота логического уровня
Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2,5 А, 570 мА
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 80 мОм при 3 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 450 мВ при 250 мкА (мин)
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 7,5 нк @ 4,5 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds -
Мощность - Макс. 830 МВт, 83 МВт
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6
Поставщик пакета оборудования 6-ЦОП
Базовый номер продукта СИ3588
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Стандартный пакет 3000
Массив МОП-транзисторов 20 В, 2,5 А, 570 мА, 830 мВт, 83 мВт, для поверхностного монтажа, 6-ТСОП