Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Vishay Siliconix SI1032X-T1-E3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Силиконикс SI1032X-T1-E3

SI1032X-T1-E3

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Силиконикс SI1032X-T1-E3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3997
  • Артикул: SI1032X-T1-E3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд ТренчFET®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 200 мА (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 1,5 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 5 Ом при 200 мА, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1,2 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 0,75 нк при 4,5 В
ВГС (Макс) ±6 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 300 мВт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования СК-89-3
Пакет/ключи СК-89, СОТ-490
Базовый номер продукта СИ1032
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Стандартный пакет 3000
N-канальный 20 В 200 мА (Ta) 300 мВт (Ta) Для поверхностного монтажа SC-89-3