Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Vishay Siliconix SUD90330E-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
Русский
search
product_banner
Vishay Siliconix SUD90330E-GE3

Vishay Силиконикс SUD90330E-GE3

SUD90330E-GE3

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Силиконикс SUD90330E-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3285
  • Артикул: SUD90330E-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

добавить в корзину

Цена за единицу: $1,5800

Дополнительная цена:$1,5800

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд ТандерФЕТ®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 200 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 35,8 А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 7,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 37,5 мОм при 12,2 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 32 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1172 пФ при 100 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 125 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ТО-252АА
Пакет/ключи ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Базовый номер продукта SUD90330
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2000 г.
Н-канал 200 В 35,8 А (Tc) 125 Вт (Tc) для поверхностного монтажа ТО-252АА

Больше продуктов

Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.