Парметр |
Млн | Виаликоеникс |
В припании | Trenchfet® |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Управо |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Коунфигура | N и п-канал |
FET FUONKSHINA | Logiчeskichй yrowenhe |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 20 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 1.4a, 960ma |
Rds on (max) @ id, vgs | 300mohm @ 500ma, 4,5 |
Vgs (th) (max) @ id | 1,5 В @ 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 1.4NC @ 4,5 |
Взёр. | - |
Синла - МАКС | 1,08 Вт |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 6-й стоп |
Baзowый nomer prodikta | SI3850 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодар | 3000 |
MOSFET Array 20V 1,4a, 960 мам 1,08