Микрочиповая технология JANTX2N3439
ЯНТХ2N3439
- Производитель: Микрочиповая технология
- Номер производителя: Микрочиповая технология JANTX2N3439
- Упаковка: Масса
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 6000
- Артикул: ЯНТХ2N3439
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 40 при 20 мА, 10 В |
| Мощность - Макс. | 800 мВт |
| Частота – переход | - |
| Рабочая температура | -65°С ~ 200°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-39 |
| Базовый номер продукта | 2Н3439 |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0095 |
| Стандартный пакет | 1 |
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | Военный, MIL-PRF-19500/368 |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | НПН |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 1 А |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 350 В |
| Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic | 500 мВ при 4 мА, 50 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 2мкА |
Биполярный (BJT) транзистор NPN 350 В 1 А 800 мВт сквозное отверстие ТО-39
