GeneSiC Полупроводниковый MBR2X120A150

МБР2Х120А150

Производитель: GeneSiC Полупроводник
Номер производителя: GeneSiC Полупроводниковый MBR2X120A150
Упаковка: Масса
Техническая спецификация: PDF
Запас: 3726
Артикул: МБР2Х120А150
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $51,8535

Дополнительная цена:$51,8535

Подробности

Параметры
Производитель	GeneSiC Полупроводник
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Конфигурация диода	2 независимых
Технология	Шоттки
Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)	150 В
Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод)	120А
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If	880 мВ при 120 А
Скорость	Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио)
Ток – обратная утечка @ Vr	3 при мА 150 В
Рабочая температура - соединение	-40°С ~ 150°С
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	СОТ-227-4, миниБЛОК
Поставщик пакета оборудования	СОТ-227
Базовый номер продукта	МБР2Х120
Статус RoHS	Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.10.0080
Стандартный пакет	52

2 оригинальных диодных массива, 150 В, 120 А, для монтажа на шасси SOT-227-4, miniBLOC