Технология микрочипа APT10M19SVRG

АПТ10М19СВРГ

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Технология микрочипа APT10M19SVRG
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 1
Артикул: АПТ10М19СВРГ
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $13.2200

Дополнительная цена:$13.2200

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	СИЛОВАЯ МОП V®
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	75А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	19 мОм при 500 мА, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	4 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	300 НК при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	6120 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора	-
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования	Д3 [С]
Пакет/ключи	ТО-268-3, Д³Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-268АА
Базовый номер продукта	АПТ10М19
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	1

N-канал, 100 В, 75 А (Tc), для внешнего монтажа D3 [S]