| Параметры |
| Производитель | Ром Полупроводник |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Не для новых дизайнов |
| Тип транзистора | ПНП — предварительный смещенный |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 200 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 30 В |
| Резистор — база (R1) | 1 кОм |
| Резистор — база эмиттера (R2) | 10 кОм |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 140 при 100 мА, 2 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 500нА |
| Частота – переход | 260 МГц |
| Мощность - Макс. | 150 мВт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | СОТ-723 |
| Поставщик пакета оборудования | ВМТ3 |
| Базовый номер продукта | ДТБ713 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0075 |
| Стандартный пакет | 8000 |
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) PNP — с предварительным смещением 30 В, 200 мА, 260 МГц, 150 мВт, для поверхностного монтажа VMT3