Парметр |
Млн | Виаликоеникс |
В припании | Trenchfet® |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Управо |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Коунфигура | 2 n-канал (Дзонано) |
FET FUONKSHINA | Logiчeskichй yrowenhe |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 20 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 7.3a, 9,9а |
Rds on (max) @ id, vgs | 12mohm @ 9.6a, 10v |
Vgs (th) (max) @ id | 2 В @ 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 15NC @ 4,5 |
Взёр. | - |
Синла - МАКС | 1,14, 1,43 |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | 14 SOIC (0,154 ", Ирина 3,90 мм) |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 14 лейт |
Baзowый nomer prodikta | SI4340 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодар | 2500 |
MOSFET Array 20V 7,3A, 9,9A 114 м.