Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMN3013LFG-13 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорейтед DMN3013LFG-13

ДМН3013LFG-13

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед DMN3013LFG-13
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3672
  • Артикул: ДМН3013LFG-13
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,3080

Дополнительная цена:$0,3080

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 9,5 А (Та), 15 А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 14,3 мОм при 4 А, 8 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1,2 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 5,7 НК при 4,5 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 600пФ при 15В
Мощность - Макс. 2,16 Вт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 8-PowerLDFN
Поставщик пакета оборудования PowerDI3333-8 (тип D)
Базовый номер продукта ДМН3013
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH Затронуто REACH
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
Массив МОП-транзисторов 30 В, 9,5 А (Ta), 15 А (Tc), 2,16 Вт (Ta), для поверхностного монтажа PowerDI3333-8 (тип D)