| Параметры |
| Производитель | Корпорация Микросеми |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип транзистора | ПНП |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 200 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 60 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 500 мВ при 5 мА, 50 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 10 мкА (ИКБО) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 100 при 10 мА, 1 В |
| Мощность - Макс. | 360 мВт |
| Частота – переход | - |
| Рабочая температура | -65°С ~ 200°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 3-СМД, без свинца |
| Поставщик пакета оборудования | УБ |
| Базовый номер продукта | 2Н3251 |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0095 |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярный (BJT) транзистор PNP 60 В 200 мА 360 мВт для поверхностного монтажа UB