Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 IXYS IXFK100N65X2 - IXYS FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

IXYS IXFK100N65X2

IXFK100N65X2

  • Производитель: ИКСИС
  • Номер производителя: IXYS IXFK100N65X2
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 50
  • Артикул: IXFK100N65X2
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $19.8900

Дополнительная цена:$19.8900

Подробности

Теги

Параметры
Производитель ИКСИС
Ряд HiPerFET™, Ультра Х2
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 30 мОм при 50 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 5,5 В @ 4 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 180 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 11300 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1040 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-264
Пакет/ключи ТО-264-3, ТО-264АА
Базовый номер продукта IXFK100
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 25
Н-канал 650 В 100 А (Тс) 1040 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-264