Ром Полупроводник IMD3AT108
ИМД3АТ108
- Производитель: Ром Полупроводник
- Номер производителя: Ром Полупроводник IMD3AT108
- Упаковка: Лента и катушка (TR)
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 5
- Артикул: ИМД3АТ108
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Ром Полупроводник |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 100 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 50В |
| Резистор — база (R1) | 10 кОм |
| Резистор — база эмиттера (R2) | 10 кОм |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 30 при 5 мА, 5 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 500нА |
| Частота – переход | 250 МГц |
| Мощность - Макс. | 300мВт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | СК-74, СОТ-457 |
| Поставщик пакета оборудования | СМТ6 |
| Базовый номер продукта | ИМД3 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0095 |
| Стандартный пакет | 3000 |
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 1 NPN, 1 PNP — с предварительным смещением (двойной) 50 В, 100 мА, 250 МГц, 300 мВт, для поверхностного монтажа, SMT6
