Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Vishay Siliconix SI4447DY-T1-E3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SI4447DY-T1-E3

SI4447DY-T1-E3

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SI4447DY-T1-E3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5
  • Артикул: SI4447DY-T1-E3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,8300

Дополнительная цена:$0,8300

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд ТренчFET®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3,3 А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 15В, 10В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 72 мОм при 4,5 А, 15 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,2 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 14 НК @ 4,5 В
ВГС (Макс) ±16 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 805 пФ при 20 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1,1 Вт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-СОИК
Пакет/ключи 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Базовый номер продукта СИ4447
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2500
P-канал 40 В 3,3 А (Ta) 1,1 Вт (Ta) Для поверхностного монтажа 8-SOIC