Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Infineon Technologies BSF134N10NJ3GXUMA1 - Infineon Technologies FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Инфинеон Технологии BSF134N10NJ3GXUMA1

BSF134N10NJ3GXUMA1

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Инфинеон Технологии BSF134N10NJ3GXUMA1
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5
  • Артикул: BSF134N10NJ3GXUMA1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $2.3000

Дополнительная цена:$2.3000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд Оптимос™
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 9А (Та), 40А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 6В, 10В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 13,4 мОм при 30 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3,5 В @ 40 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 30 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2300 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2,2 Вт (Та), 43 Вт (Тс)
Рабочая температура -40°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования MG-WDSON-2, CanPAK M™
Пакет/ключи 3-WDSON
Базовый номер продукта БСФ134
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 5000
N-канал 100 В 9А (Ta), 40А (Tc) 2,2 Вт (Ta), 43 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа MG-WDSON-2, CanPAK M™