Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 STMicroelectronics STP03D200 — STMicroelectronics Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

СТМикроэлектроника STP03D200

STP03D200

  • Производитель: СТМикроэлектроника
  • Номер производителя: СТМикроэлектроника STP03D200
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8401
  • Артикул: STP03D200
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $9.5000

Дополнительная цена:$9.5000

Подробности

Теги

Параметры
Тип транзистора NPN – Дарлингтон
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 В
Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic 2 В @ 500 мкА, 50 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100 мкА
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 200 при 30 мА, 10 В
Мощность - Макс. 40 Вт
Частота – переход -
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-220-3
Поставщик пакета оборудования ТО-220
Базовый номер продукта STP03
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 497-7022-5
Стандартный пакет 50
Производитель СТМикроэлектроника
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Биполярный (BJT) транзистор NPN-Дарлингтон 1200 В 100 мА 40 Вт сквозное отверстие TO-220