Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Toshiba Semiconductor and Storage TPN6R003NL,LQ - Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор микросхем, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage TPN6R003NL,LQ

ТПН6Р003НЛ,ЛК

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage TPN6R003NL,LQ
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 6391
  • Артикул: ТПН6Р003НЛ,ЛК
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,8800

Дополнительная цена:$0,8800

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд У-МОСVIII-H
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 27А (Тц)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 6 мОм при 13,5 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,3 В @ 200 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 17 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1400 пФ при 15 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 700 мВт (Та), 32 Вт (Тс)
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-ТСОН Адванс (3,1х3,1)
Пакет/ключи 8-PowerVDFN
Базовый номер продукта ТПН6Р003
Статус RoHS Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
Н-канальный 30 В 27 А (Tc) 700 мВт (Ta), 32 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 8-ТСОН Advance (3,1x3,1)