Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Powerex Inc. QJD1210011 - Powerex Inc. FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Powerex Inc. QJD1210011

QJD1210011

  • Производитель: Powerex Inc.
  • Номер производителя: Powerex Inc. QJD1210011
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4838
  • Артикул: QJD1210011
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Powerex Inc.
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Технология Карбид кремния (SiC)
Конфигурация 2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 В (1,2 кВ)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 25 мОм при 100 А, 20 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 5 В при 10 мА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 500 НК при 20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 10200пФ при 800В
Мощность - Макс. 900 Вт
Рабочая температура -40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи Модуль
Поставщик пакета оборудования Модуль
Базовый номер продукта QJD1210
Статус RoHS Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1
Модуль Mosfet Array 1200 В (1,2 кВ), 100 А (Tc), 900 Вт, для монтажа на шасси