Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J56ACT,L3F - Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J56ACT,L3F

SSM3J56ACT,L3F

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J56ACT,L3F
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 32
  • Артикул: SSM3J56ACT,L3F
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,3900

Дополнительная цена:$0,3900

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд У-МОСВИ
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1,4 А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 1,2 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 390 мОм при 800 мА, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1 В @ 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 1,6 нк при 4,5 В
ВГС (Макс) ±8 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 100 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 500 мВт (Та)
Рабочая температура 150°С
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования КСТ3
Пакет/ключи СК-101, СОТ-883
Базовый номер продукта SSM3J56
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Стандартный пакет 10 000
П-канал 20 В 1,4 А (Та) 500 мВт (Та) для поверхностного монтажа CST3