| Параметры |
| Производитель | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных |
| Ряд | У-МОСВИ |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | P-канал |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 20 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 1,4 А (Та) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 1,2 В, 4,5 В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 390 мОм при 800 мА, 4,5 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 1 В @ 1 мА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 1,6 нк при 4,5 В |
| ВГС (Макс) | ±8 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 100 пФ при 10 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 500 мВт (Та) |
| Рабочая температура | 150°С |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Поставщик пакета оборудования | КСТ3 |
| Пакет/ключи | СК-101, СОТ-883 |
| Базовый номер продукта | SSM3J56 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0095 |
| Стандартный пакет | 10 000 |
П-канал 20 В 1,4 А (Та) 500 мВт (Та) для поверхностного монтажа CST3