STMicroelectronics STQ1NK80ZR-AP - STMicroelectronics FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
Русский
search
product_banner
STMicroelectronics STQ1NK80ZR-AP

STMicroelectronics STQ1NK80ZR-AP

STQ1NK80ZR-AP

  • Производитель: СТМикроэлектроника
  • Номер производителя: STMicroelectronics STQ1NK80ZR-AP
  • Упаковка: Разрезанная лента (CT)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1658 г.
  • Артикул: STQ1NK80ZR-AP
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

добавить в корзину

Цена за единицу: $0,8700

Дополнительная цена:$0,8700

Подробности

Теги

Параметры
Производитель СТМикроэлектроника
Ряд СуперМЕШ™
Упаковка Разрезанная лента (CT)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 800 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 300 мА (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 16 Ом при 500 мА, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4,5 В @ 50 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 7,7 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 160 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 3 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-92-3
Пакет/ключи ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Сформированные заключения
Базовый номер продукта STQ1NK80
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2000 г.
N-канал 800 В 300 мА (Tc) 3 Вт (Tc) Сквозное отверстие ТО-92-3

Больше продуктов

Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.