| Параметры |
| Производитель | Микрон Технология Инк. |
| Ряд | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | ДРАМ |
| Технология | SDRAM-DDR3 |
| Размер | 2Гбит |
| Организация | 128М х 16 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 667 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Время доступа | 13,5 нс |
| Напряжение питания | 1425 В ~ 1575 В |
| Рабочая температура | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 96-ТФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 96-ФБГА (9х14) |
| Базовый номер продукта | МТ41J128M16 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0036 |
| Стандартный пакет | 1000 |
SDRAM — ИС-память DDR3, 2 Гбит, параллельная, 667 МГц, 13,5 нс, 96-FBGA (9x14)