Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 IXYS IXFK120N30P3 - IXYS FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор микросхем, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

IXYS IXFK120N30P3

IXFK120N30P3

  • Производитель: ИКСИС
  • Номер производителя: IXYS IXFK120N30P3
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1413
  • Артикул: IXFK120N30P3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $18.7300

Дополнительная цена:$18.7300

Подробности

Теги

Параметры
Производитель ИКСИС
Ряд HiPerFET™, Polar3™
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 300 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 120А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 27 мОм при 60 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 5 В при 4 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 150 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 8630 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1130 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-264АА (IXFK)
Пакет/ключи ТО-264-3, ТО-264АА
Базовый номер продукта IXFK120
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена -IXFK120N30P3
Стандартный пакет 25
Н-канал 300 В 120 А (Tc) 1130 Вт (Tc) Сквозное отверстие ТО-264АА (IXFK)