СТМикроэлектроника SCT30N120D2

SCT30N120D2

Производитель: СТМикроэлектроника
Номер производителя: СТМикроэлектроника SCT30N120D2
Упаковка: Поднос
Техническая спецификация:-
Запас: 9650
Артикул: SCT30N120D2
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	СТМикроэлектроника
Ряд	-
Упаковка	Поднос
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	SiCFET (карбид кремния)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	1200 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	40А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	20 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	100 мОм при 20 А, 20 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	3,5 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	105 НК при 20 В
ВГС (Макс)	+25В, -10В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	1700 пФ при 400 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	270 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 200°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования	HiP247™
Пакет/ключи	ТО-247-3
Базовый номер продукта	SCT30
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	490

N-канальный 1200 В, 40 А (Tc) 270 Вт (Tc), сквозное отверстие HiP247™