Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Vishay Siliconix SIE832DF-T1-E3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SIE832DF-T1-E3

SIE832DF-T1-E3

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SIE832DF-T1-E3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9660
  • Артикул: SIE832DF-T1-E3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд ТренчFET®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 50А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 5,5 мОм при 14 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 77 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3800 пФ при 20 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 5,2 Вт (Та), 104 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 10-ПоларПАК® (С)
Пакет/ключи 10-ПоларПАК® (С)
Базовый номер продукта SIE832
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
N-канал 40 В 50 А (Tc) 5,2 Вт (Ta), 104 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 10-PolarPAK® (S)