Vishay Siliconix SI593333DC-T1-E3
SI5933DC-T1-E3
- Проиджоделх: Виаликоеникс
- NoMerPOIзVODITELEL: Vishay Siliconix SI593333DC-T1-E3
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 7567
- Sku: SI5933DC-T1-E3
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 8-SMD, Плоскин С.С. |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 1206-8 Chipfet ™ |
| Baзowый nomer prodikta | SI5933 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Станодар | 3000 |
| Млн | Виаликоеникс |
| В припании | Trenchfet® |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Управо |
| Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
| Коунфигура | 2 P-KANOL (DVOйNOй) |
| FET FUONKSHINA | Logiчeskichй yrowenhe |
| Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 20 |
| TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 2.7a |
| Rds on (max) @ id, vgs | 110mohm @ 2,7a, 4,5 |
| Vgs (th) (max) @ id | 1В @ 250 мк |
| ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 7,7NC @ 4,5 |
| Взёр. | - |
| Синла - МАКС | 1,1 |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
MOSFET Array 20 В 2,7A 1,1
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740