Vishay Siliconix SI5513DC-T1-E3

SI5513DC-T1-E3

Проиджоделх: Виаликоеникс
NoMerPOIзVODITELEL: Vishay Siliconix SI5513DC-T1-E3
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 8803
Sku: SI5513DC-T1-E3
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТА

Подрэбной

Парметр
Млн	Виаликоеникс
В припании	Trenchfet®
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Управо
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Коунфигура	N и п-канал
FET FUONKSHINA	Logiчeskichй yrowenhe
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	20
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	3.1a, 2.1a
Rds on (max) @ id, vgs	75mohm @ 3,1a, 4,5
Vgs (th) (max) @ id	1,5 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	6nc @ 4,5
Взёр.	-
Синла - МАКС	1,1
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
PakeT / KORPUES	8-SMD, Плоскин С.С.
ПАКЕТИВАЕТСЯ	1206-8 Chipfet ™
Baзowый nomer prodikta	SI5513
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодар	3000

MOSFET Array 20V 3.1A, 2,1A 1,1