| Параметры |
| Производитель | Вишай Силиконикс |
| Ряд | ТренчFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип полярного транзистора | P-канал |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 12 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 5,9 А (Та) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 1,8 В, 4,5 В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 27 мОм при 5,9 А, 4,5 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 1 В @ 250 мкА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 32 нк @ 4,5 В |
| ВГС (Макс) | ±8 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1,3 Вт (Та) |
| Рабочая температура | -55°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Поставщик пакета оборудования | 1206-8 ЧипFET™ |
| Пакет/ключи | 8-СМД, плоский вывод |
| Базовый номер продукта | СИ5473 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 3000 |
P-канал 12 В 5,9 А (Ta) 1,3 Вт (Ta) Для поверхностного монтажа 1206-8 ChipFET™