Парметр |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 5.3a |
Rds on (max) @ id, vgs | 58mohm @ 4.3a, 10 |
Vgs (th) (max) @ id | 3 В @ 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 20NC @ 10V |
Взёр. | 665pf @ 15v |
Синла - МАКС | 3,1 |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8 лейт |
Baзowый nomer prodikta | SI4900 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодар | 2500 |
Млн | Виаликоеникс |
В припании | Trenchfet® |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Коунфигура | 2 n-канал (Дзонано) |
FET FUONKSHINA | Logiчeskichй yrowenhe |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 60 |
MOSFET ARRAY 60 В 5,3а 3,1