Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Vishay Siliconix SI4936BDY-T1-E3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SI4936BDY-T1-E3

SI4936BDY-T1-E3

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SI4936BDY-T1-E3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 19
  • Артикул: SI4936BDY-T1-E3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,9500

Дополнительная цена:$0,9500

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд ТренчFET®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора Ворота логического уровня
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6,9А
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 35 мОм при 5,9 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 15 НК при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 530пФ при 15В
Мощность - Макс. 2,8 Вт
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Поставщик пакета оборудования 8-СОИК
Базовый номер продукта СИ4936
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2500
Массив мосфетов 30 В 6,9 А 2,8 Вт для поверхностного монтажа 8-SOIC