Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Vishay Siliconix SI7100DN-T1-E3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SI7100DN-T1-E3

SI7100DN-T1-E3

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SI7100DN-T1-E3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5507
  • Артикул: SI7100DN-T1-E3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд ТренчFET®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 8 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 35А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 2,5 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 3,5 мОм при 15 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1 В при 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 105 НК при 8 В
ВГС (Макс) ±8 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3810 пФ при 4 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 3,8 Вт (Та), 52 Вт (Тс)
Рабочая температура -50°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования PowerPAK® 1212-8
Пакет/ключи PowerPAK® 1212-8
Базовый номер продукта СИ7100
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
N-канал 8 В 35 А (Tc) 3,8 Вт (Ta), 52 Вт (Tc) PowerPAK® 1212-8 для поверхностного монтажа