Vishay Siliconix SI5447DC-T1-E3

SI5447DC-T1-E3

Производитель: Вишай Силиконикс
Номер производителя: Vishay Siliconix SI5447DC-T1-E3
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 8655
Артикул: SI5447DC-T1-E3
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Рассеиваемая мощность (макс.)	1,3 Вт (Та)
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования	1206-8 ЧипFET™
Пакет/ключи	8-СМД, плоский вывод
Базовый номер продукта	СИ5447
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	3000
Производитель	Вишай Силиконикс
Ряд	ТренчFET®
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Устаревший
Тип полярного транзистора	P-канал
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	3,5 А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	1,8 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	76 мОм при 3,5 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	450 мВ при 250 мкА (мин)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	10 НК при 4,5 В
ВГС (Макс)	±8 В
Особенность левого транзистора	-

P-канал 20 В 3,5 А (Ta) 1,3 Вт (Ta) Для поверхностного монтажа 1206-8 ChipFET™

Vishay Siliconix SI5447DC-T1-E3

Подробности

Теги

Больше продуктов

О нас

УСЛУГИ

ПРОДУКЦИЯ