Микрочиповая технология JAN2N3700UB
ЯН2Н3700УБ
- Производитель: Микрочиповая технология
- Номер производителя: Микрочиповая технология JAN2N3700UB
- Упаковка: Масса
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 5123
- Артикул: ЯН2Н3700УБ
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Ряд | Военный, MIL-PRF-19500/391 |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Производство постоянно в Digi-Key |
| Тип транзистора | НПН |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 1 А |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 80 В |
| Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic | 500 мВ при 50 мА, 500 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 10нА |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 50 на 500 мА, 10 В |
| Мощность - Макс. | 500 мВт |
| Частота – переход | - |
| Рабочая температура | -65°С ~ 200°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 3-СМД, без свинца |
| Поставщик пакета оборудования | 3-УБ (2,9х2,2) |
| Базовый номер продукта | 2Н3700 |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0095 |
| Стандартный пакет | 1 |
| Производитель | Микрочиповая технология |
Биполярный (BJT) транзистор NPN 80 В 1 А 500 мВт для поверхностного монтажа 3-UB (2,9х2,2)